THIN FILM TRANSISTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND THIN FILM TRANSISTOR MANUFACTURING METHOD

According to an embodiment of the present invention, a thin film transistor includes a semiconductor layer, a source electrode, and a drain electrode. The semiconductor layer includes an oxide including: a first region; a second region; a third region that is provided between the first region and the second region; a fourth region having the first region disposed between the fourth region and the third region; and a fifth region having the second region disposed between the fifth region and the third region. The source electrode is electrically connected to the first region. The drain electrode is electrically connected to the second region. A first thickness of the first region, said first thickness intersecting the first direction in which the first region and the second region are connected, and being in the second direction in which the first region and the source electrode are connected, is less than a third thickness of the third region, the fourth region and the fifth region, said third thickness being in the second direction. A second thickness of the second region, said second thickness being in the second direction, is less than the third thickness. Selon un mode de réalisation, la présente invention concerne un transistor à couches minces qui comprend une couche de semi-conducteur, une électrode de source et une électrode de drain. La couche de semi-conducteur comprend un oxyde comprenant : une première région ; une deuxième région ; une troisième région qui est disposée entre la première région et la deuxième région ; une quatrième région, la première région étant disposée entre la quatrième région et la troisième région ; et une cinquième région, la deuxième région étant disposée entre la cinquième région et la troisième région. L'électrode de source est électriquement connectée à la première région. L'électrode de drain est électriquement connectée à la deuxième région. Une première épaisseur de la première région, ladite première épaisseur coupant une première direction dans laquelle la première région et la deuxième région sont reliées, et étant dans une deuxième direction dans laquelle la première région et l'électrode de source sont reliées, est inférieure à une troisième épaisseur de la troisième région, la quatrième région et la cinquième région, ladite troisième épaisseur étant dans la deuxième direction. Une deuxième épaisseur de la deuxième région, ladite deuxième épaisseur étant dans la deuxième direction, est inférieure à la troisi