CARBON DIOXIDE REDUCTION ELECTRODE AND CARBON DIOXIDE REDUCTION DEVICE IN WHICH SAME IS USED

Provided are a CO2 reduction electrode and a CO2 reduction device making it possible to sufficiently obtain a reduction product comprising organic matter, etc. The reduction electrode (1) has an electroconductive substrate (11), a p-type optical semiconductor (12) provided thereon, and an n-type optical semiconductor (13) provided on the p-type optical semiconductor (12). The reduction electrode (1) is used in the reduction device (8). The energy level of the conduction band of the p-type optical semiconductor (12) is higher in the negative direction than the energy level of the conduction band of the n-type optical semiconductor (13). The energy level of the valence band of the p-type optical semiconductor (12) is higher in the negative direction than the energy level of the valence band of the n-type optical semiconductor (13). L'invention fournit une électrode pour réduction de CO2 et un dispositif de réduction de CO2 qui permettent d'obtenir de manière suffisante un produit de réduction constitué d'une substance organique, ou similaire. L'électrode pour réduction (1) possède un substrat (11) doté de propriétés conductrices, un semi-conducteur optique de type p (12) agencé sur le substrat (11), et un semi-conducteur optique de type n (13) agencé sur le semi-conducteur optique de type p (12). Le dispositif de réduction met en œuvre cette électrode pour réduction (1). Le niveau d'énergie d'une bande de conduction du semi-conducteur optique de type p (12) est supérieur côté base par rapport à celui d'une bande de conduction du semi-conducteur optique de type n (13). Enfin, le niveau d'énergie d'une bande de valence du semi-conducteur optique de type p (12) est supérieur côté base par rapport à celui d'une bande de valence du semi-conducteur optique de type n (13). 有機物等からなる還元生成物を十分に得ることができるＣＯ2還元電極、及びＣＯ2還元装置を提供する。還元電極（１）は、導電性の基板（１１）と、その上に設けられたｐ型光半導体（１２）と、その上に設けられたｎ型光半導体（１３）とを有し、還元装置（８）はこの還元電極（１）を用いている。ｐ型光半導体（１２）の伝導帯のエネルギー準位は、ｎ型光半導体（１３）の伝導帯のエネルギー準位よりも卑側に高い。また、ｐ型光半導体（１２）の価電子帯のエネルギー準位は、ｎ型光半導体（１３）の価電子帯のエネルギー準位よりも卑側に高い。