METHOD FOR MANUFACTURING n-p-n NITRIDE-SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT, AND n-p-n NITRIDE-SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT

[Problem] To provide the following: a method, for manufacturing an N-P-N nitride-semiconductor light-emitting element that has a current-confinement region (A) using an embedded tunnel junction layer (302), that yields a good emission efficiency; and an N-P-N nitride-semiconductor light-emitting element. [Solution] A p-type GaN crystal layer (106) laminated to the bottom layer of a tunnel junction layer (302) is subjected to p-type activation in the middle of a manufacturing process, before said tunnel junction layer (302) is embedded in an n-type GaN crystal layer (109), with the tunnel junction layer (302) partially removed and the p-type GaN crystal layer (106) exposed to a surrounding gas. In the middle of the manufacturing process, with the p-type GaN crystal layer (106) exposed, said p-type GaN crystal layer (106) can be subjected to p-type activation efficiently, yielding a p-type GaN crystal layer that has low electrical resistance. Le but de l'invention est de fournir ce qui suit : un procédé, pour la fabrication d'un élément électroluminescent à semi-conducteur au nitrure N-P-N qui a une région de confinement de courant (A) à l'aide d'une couche de jonction à effet tunnel intégrée (302), qui permet d'obtenir une bonne efficacité d'émission; et un élément électroluminescent à semi-conducteur au nitrure N-P-N. Une couche de cristal de GaN de type p (106) stratifiée sur la couche inférieure d'une couche de jonction à effet tunnel (302) est soumise à une activation de type p au milieu d'un processus de fabrication, avant que ladite couche de jonction à effet tunnel (302) ne soit incorporée dans une couche de cristal de GaN de type n (109), avec la couche de jonction à effet tunnel (302) partiellement retirée et la couche de cristal de GaN de type p (106) exposée à un gaz environnant. Au milieu du processus de fabrication, avec la couche de cristal de GaN de type p (106) exposée, ladite couche de cristal de GaN de type p (106) peut être soumise à une activation de type p de manière efficace, ce qui permet d'obtenir une couche de cristal de GaN de type p qui présente une faible résistance électrique. 【課題】埋め込まれたトンネル接合層３０２を用いた電流狭窄領域Ａを有するｎｐｎ型窒化物半導体発光素子において、良好な発光効率を得ることが可能なｎｐｎ型窒化物半導体発光素子の製造方法、およびｎｐｎ型窒化物半導体発光素子を提供すること 【解決手段】トンネル接合層３０２の下層に積層されるｐ型ＧａＮ結晶層１０６のｐ型活性化を、トンネル接合層３０２をｎ型ＧａＮ結晶層１０９で埋め込む前であって、トンネル接合層３０２が部分的に除去されてｐ型ＧａＮ結晶層１０６が雰囲気ガスに対して露出している製造工程の途中段階で行う。ｐ型ＧａＮ結晶層１０６が露出している製造工程の途中段階で、ｐ型ＧａＮ結晶層１０６が効率よくｐ型活性化され、電気的に低抵抗なｐ型ＧａＮ結晶層を得ることができる。