THIN-FILM TRANSISTOR HAVING ACTIVE LAYER MADE OF MOLYBDENUM DISULFIDE, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND DISPLAY DEVICE COMPRISING SAME

The present invention relates to a thin-film transistor, a method for manufacturing the same, and a display device comprising the same and, more particularly, to a thin-film transistor having an active layer made of molybdenum disulfide (MoS2), a method for manufacturing the same, and a display device comprising the same. To this end, the present invention provides a thin-film transistor, a method for manufacturing the same, and a display device comprising the same, the thin-film transistor being characterized by comprising: a substrate; a first insulation film formed on the substrate; an active layer, which is formed on the first insulation film, which has a channel area, and which is made of molybdenum disulfide (MoS2); a source electrode and a drain electrode arranged on the first insulation film while being spaced from each other with the channel area interposed therebetween and electrically connected to the active layer; and a second insulation film formed on the active layer. La présente invention concerne un transistor en couches minces, son procédé de fabrication et un dispositif d'affichage le comprenant. L'invention concerne plus particulièrement un transistor en couches minces ayant une couche active constituée de disulfure de molybdène (MoS2), son procédé de fabrication et un dispositif d'affichage le comprenant. À cet effet, l'invention concerne un transistor en couches minces, son procédé de fabrication et un dispositif d'affichage le comprenant. Le transistor en couches minces est caractérisé en ce qu'il comprend : un substrat ; un premier film d'isolation formé sur le substrat ; une couche active, formée sur le premier film d'isolation, qui a une zone de canal et qui est constituée de disulfure de molybdène (MoS2) ; une électrode source et une électrode de drain agencées sur le premier film d'isolation, tout en étant espacées l'une de l'autre, la zone de canal étant intercalée entre elles et connectées électriquement à la couche active ; et un second film d'isolation formé sur la couche active. 본 발명은 박막트랜지스터, 그 제조방법 및 이를 구비하는 디스플레이 장치에 관한 것으로서 더욱 상세하게는 이황화 몰리브덴(MoS2)으로 이루어진 액티브층을 갖는 박막트랜지스터, 그 제조방법 및 이를 구비하는 디스플레이 장치에 관한 것이다. 이를 위해, 본 발명은, 기판; 상기 기판 상에 형성되는 제1 절연막; 상기 제1 절연막 상에 형성되고 채널 영역을 구비하며 이황화 몰리브덴(MoS2)으로 이루어지는 액티브층; 상기 채널 영역을 사이에 두고 상기 제1 절연막 상에 이격 배열되어 상기 액티브층에 전기적으로 접속되는 소스 전극 및 드레인 전극 및 상기 액티브층 상에 형성되는 제2 절연막을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터, 그 제조방법 및 이를 구비하는 디스플레이 장치를 제공한다.