METHOD OF PRODUCING A SEMICONDUCTOR DEVICE WITH PROTRUDING CONTACTS

A wiring (3) comprising electrical conductors (4, 5, 6, 7) is formed in a dielectric layer (2) on or above a semiconductor substrate (1), an opening is formed in the dielectric layer to uncover a contact pad (8), which is formed by one of the conductors, and a further opening is formed in the dielectric layer to uncover an area of a further conductor (5), separate from the contact pad. The further opening is filled with an electrically conductive material (9), and the dielectric layer is thinned from a side opposite the substrate, so that the electrically conductive material protrudes from the dielectric layer. Selon l'invention, un câblage (3), comportant des conducteurs électriques (4, 5, 6, 7), est formé dans une couche diélectrique (2) sur ou au-dessus d'un substrat à semi-conducteurs (1), une ouverture est formée dans la couche diélectrique pour découvrir une plage de contact (8), qui est formée par l'un des conducteurs, et une autre ouverture est formée dans la couche diélectrique pour découvrir une zone d'un autre conducteur (5), séparée de la plage de contact. L'autre ouverture est remplie avec une matière conductrice de l'électricité (9), et la couche diélectrique est amincie depuis un côté opposé au substrat, de telle sorte que la matière conductrice de l'électricité fait saillie sur la couche diélectrique.