POST CHEMICAL MECHANICAL POLISHING FORMULATIONS AND METHOD OF USE

A cleaning composition and process for cleaning post-chemical mechanical polishing (CMP) residue and contaminants from a microelectronic device having said residue and contaminants thereon. The cleaning compositions are substantially devoid of amines and ammonium-containing salts. The composition achieves highly efficacious cleaning of the post-CMP residue and contaminant material from the surface of the microelectronic device without compromising the low-k dielectric material or the copper interconnect material. L'invention concerne une composition de nettoyage et un procédé de nettoyage de résidus et contaminants situés sur un dispositif micro-électronique suite à un post-polissage mécano-chimique (CMP). Les compositions de nettoyage sont sensiblement exemptes d'amines et de sels contenant de l'ammonium. La composition permet d'effectuer un nettoyage hautement efficace des matières résiduelles et contaminantes post-CMP de la surface du dispositif micro-électronique sans nuire au matériau diélectrique à faible permittivité ni au matériau d'interconnexion en cuivre.