HIGH DENSITY LOW POWER GSHE-STT MRAM

Systems and methods are directed to a memory element comprising a hybrid giant spin Hall effect (GSHE)-spin transfer torque (STT) magnetoresistive random access memory (MRAM) element, which includes a GSHE strip formed between a first terminal (A) and a second terminal (B), and a magnetic tunnel junction (MTJ), with a free layer of the MTJ interfacing the GSHE strip, and a fixed layer of the MTJ coupled to a third terminal (C). The orientation of the easy axis of the free layer is perpendicular to the magnetization created by electrons traversing the GSHE strip between the first terminal and the second terminal, such that the free layer of the MTJ is configured to switch based on a first charge current injected from/to the first terminal to/from the second terminal and a second charge current injected/extracted through the third terminal into/out of the MTJ via the third terminal (C). L'invention porte sur des systèmes et des procédés qui concernent un élément de mémoire comprenant un élément de mémoire vive magnétique (MRAM) à effet Hall de spin géant (GSHE) - couple de transfert de spin (STT) hybride, qui comprend une bande GSHE formée entre une première borne (A) et une seconde borne (B), et une jonction à effet tunnel magnétique (MTJ), une couche libre de la MTJ faisant l'interface avec la bande GSHE, et une couche fixe de la MTJ étant couplée à une troisième borne (C). L'orientation de l'axe facile de la couche libre est perpendiculaire à l'aimantation créée par des électrons traversant la bande GSHE entre la première borne et la seconde borne, de telle sorte que la couche libre de la MTJ est configurée pour commuter sur la base d'un premier courant de charge injecté par/vers la première borne vers/par la seconde borne et d'un second courant de charge injecté/extrait par la troisième borne dans/hors de la MTJ par l'intermédiaire de la troisième borne (C).