METHOD FOR PRODUCING TEXTURES OR POLISHES ON THE SURFACE OF MONOCRYSTALLINE SILICON WAFERS

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Erzeugung von Texturen oder von Polituren auf der Oberfläche von monokristallinen Siliziumwafern durch anisotrope Ätzprozesse. Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Erzeugung von Texturen oder von Polituren auf der Oberfläche von monokristallinen Siliziumwafern zu entwickeln, bei dem preiswerte leicht zugängliche nicht-toxische Rohstoffe eingesetzt werden können, das energiesparend nahe Raumtemperatur durchführbar ist, in dem gleichzeitig die Reinigung und die Texturierung bzw. Polierung der Waferoberfläche geschieht, bei dem weniger toxische Abgase freigesetzt werden und geringere Abwassermengen entstehen, mit dem eine höhere Abtragsrate als beim Einsatz von alkalischen Lösungen erreicht werden kann, sodass eine In-Line Prozessierung möglich ist und welches sowohl auf SiC-Slurry- gesägten als auch Diamantdraht-gesägten Siliziumwafern vergleichbare Texturen erzeugt. Überraschend wurde gefunden, dass bei der Verwendung von wässrigen Gemischen aus Flusssäure (HF), Salzsäure (HC1) und einem zugesetzten Oxidationsmittel oder wässrigen Lösungen aus Flusssäure (HF) und zugeführtem Chlor (Cl2) als Ätzlösungen bei der Behandlung von monokristallinen Silizium(100) -Wafern Pyramiden mit quadratischer Grundfläche erzeugt werden. Bevorzugt wurden Ammoniumperoxodisulfat ((NH4) 2S2O8), Natriumperoxodisulfat (Na2S2O8), Wasserstoffperoxid (H2O2), Kaliumpermanganat (KMn O4), Ozon (O3), und Salpetersäure (HNO3) als Oxidationsmittel eingesetzt. The invention relates to a method for producing textures or polishes on the surface of monocrystalline silicon wafers by means of anisotropic etching processes. The problem addressed by the invention is that of developing a method for producing textures or polishes on the surface of monocrystalline silicon wafers in which economical, easily accessible, non-toxic raw materials can be used, which can be performed near room temperature in an energy-saving manner, in which the cleaning and the texturing or polishing of the wafer surface occur simultaneously, in which less toxic exhaust gases are released and smaller amounts of waste water are produced, by means of which a higher removal rate than with the use of alkaline solutions can be achieved such that in-line processing is possible, and which produces comparable textures on both SiC-slurry-sawed silicon wafers and diamond-wire-sawed silicon wafers. Surprisingly, it was found that pyramids having a square base are produced