LOW RESISTIVITY OHMIC CONTACT

Embodiments of a low resistivity ohmic contact are disclosed. In some embodiments, a method of fabricating a low resistivity ohmic contact includes providing a semiconductor material layer and intentionally roughening the semiconductor material layer to create a characteristic surface roughness. The method also includes providing an ohmic contact metal layer on a surface of the semiconductor material layer and providing a diffusion barrier metal layer on a surface of the ohmic contact metal layer opposite the semiconductor material layer. In this way, the adhesive force between the semiconductor material layer and the ohmic contact metal layer may be increased. Dans certains modes de réalisation, la présente invention concerne un contact ohmique à faible résistivité. Dans certains modes de réalisation, un procédé de fabrication d'un contact ohmique à faible résistivité consiste à fournir une couche de matériau semi-conducteur et de rendre intentionnellement rugueuse la couche de matériau semi-conducteur afin de créer une rugosité superficielle caractéristique. Le procédé consiste également à fournir une couche métallique de contact ohmique sur une surface de la couche de matériau semi-conducteur et fournir une couche métallique barrière de diffusion sur une surface de la couche métallique de contact ohmique en regard de la couche de matériau semi-conducteur. Ainsi, la force d'adhérence entre la couche de matériau semi-conducteur et la couche métallique de contact ohmique peut être augmentée.