ESD CLAMP WITH A LAYOUT-ALTERABLE TRIGGER VOLTAGE

An ESD device that includes a gate and an n-drain region isolated from the gate and formed at least partially within an n-well region, which in turn is formed at least partially within a deep n-well region. The doping levels of the n-drain region, the n-well region and the deep n-well region are in a descending order. The ESD device has trigger and holding voltages, above the operation voltage of its protected circuit, which are layout-configurable by altering the distance between the n-drain and a side edge of the n-well region. Dispositif de protection contre les décharges électrostatique (ESD) qui comprend une grille et une zone de drain N isolée de la grille et formée au moins partiellement à l'intérieur d'une zone de caisson N profond. Les niveaux de dopage de la région de drain N présentent un ordre décroissant entre la zone de drain N, la zone de caisson N et la zone de caisson N profond. Le dispositif de protection ESD présente une tension de déclenchement et une tension de maintien supérieures à la tension de fonctionnement de son circuit protégé, lesdites tensions pouvant être modulées par le biais du plan du circuit, par modification de la distance séparant le drain N et un bord latéral de la zone de caisson N.