TERNARY METAL NITRIDE FORMATION BY ANNEALING CONSTITUENT LAYERS

Ternary metal nitride layers suitable for thin-film resistors are fabricated by forming constituent layers of complementary components (e.g., binary nitrides of the different metals, or a binary nitride of one metal and a metallic form of the other metal), then annealing the constituent layers to interdiffuse the materials, thus forming the ternary metal nitride. The constituent layers (e.g., 2-5nm thick) may be sputtered from binary metal nitride targets, from metal targets in a nitrogen-containing ambient, or from metal targets in an inert ambient. Optionally, a nitrogen-containing ambient may also be used for the annealing. The annealing may be 10 seconds to 10 minutes at 500-1000°C and may also process another component on the same substrate (e.g., activate a diode). L'invention porte sur des couches de nitrure de métal ternaire appropriées pour des résistances en couches minces, qui sont fabriquées par formation de couches de constituant de composants complémentaires (par exemple, des nitrures binaires des différents métaux, ou un nitrure binaire d'un métal et une forme métallique de l'autre métal), puis recuit des couches de constituant pour inter-diffuser les matériaux, formant ainsi le nitrure de métal ternaire. Les couches de constituant (par exemple, de 2-5 nm d'épaisseur) peuvent être pulvérisées par des cibles de nitrure de métal binaire, par des cibles de métal dans un environnement ambiant contenant de l'azote, ou par des cibles de métal dans un environnement ambiant inerte. Facultativement, un environnement ambiant contenant de l'azote peut également être utilisé pour le recuit. Le recuit peut être de 10 secondes à 10 minutes à 500-1000°C et peut également traiter un autre composant sur le même substrat (par exemple, activer une diode).