MATRIX SENSOR OF IONIZING RADIATION

The sensor contains a high-resistance high-purity, floating-zone melting silicon substrate of n-type conductivity; on whose front side there are p-regions; SiO2 layer; aluminum metallization; and a passivating layer. P-regions, occupying the most surface area, form the active region of the sensor. At least two p-regions in the form of circular elements are located in the inactive region on the perimeter of the substrate around the active region, formed by p-regions, and ensure a decrease in the surface current value and smooth voltage drop from the active region to the device perimeter. In SiO2 layer of, there are windows to ensure the contact between the metal and the p-region; in the passivating layer over the p-region, located in the central part of the substrate, there are window for contacting with the p-n region in the process of testing and windows for connection of the leads. Le capteur contient un substrat de silicium à fusion de zone flottante, haute résistance, pur, présentant une conductivité de type n, sur le côté avant duquel se trouvent des régions p; une couche de SiO2; une métallisation d'aluminium; et une couche de passivation. Les régions p, occupant la majeure partie de la surface, forment la région active du capteur. Au moins deux régions p sous la forme d'éléments circulaires sont situées dans la région inactive sur le périmètre du substrat autour de la région active, formée par des régions p, et assurent une diminution de la valeur de courant de surface et une chute de tension uniforme depuis la région active vers le périmètre du dispositif. Dans la couche de Si02 se trouvent des fenêtres assurant le contact entre le métal et la région p; dans la couche de passivation sur la région p, située dans la partie centrale du substrat, se trouvent des fenêtres permettant le contact avec la région p-n pendant l'essai et des fenêtres pour la connexion des fils.