SEMICONDUCTOR DEVICE AND DISPLAY DEVICE

The objective of the present invention is, while reducing the contact resistance of a composite metal electrode with respect to an organic semiconductor film, to reduce production cost and reduce the electrical resistance of the composite metal electrode itself. A TFT (17) is provided with: an organic semiconductor film (25) comprising an organic semiconductor material; and a source electrode (17b) and drain electrode (17c) that form the composite metal electrode contacting the organic semiconductor film (25) and that result from admixing, into a base metal material (28) comprising a metal material, a low-resistance metal material (29) that is in ohmic contact to the organic semiconductor film (25) and of which the contact resistance thereto is lower than that of the base metal material (28), the low-resistance metal material (29) being disposed in a manner so as to be exposed at least at the contact surface (CS) to the organic semiconductor film (25). La présente invention a pour objet, tout en réduisant la résistance de contact d'une électrode métallique composite par rapport à un film semi-conducteur organique, de réduire le coût de production et de réduire la résistance électrique de l'électrode métallique composite elle-même. Un transistor à couches minces (TFT pour Thin Film Transistor) comprend : un film semi-conducteur organique (25) comprenant un matériau semi-conducteur organique ; et une électrode source (17b) ainsi qu'une électrode déversoir (17c) qui forment l'électrode métallique composite qui vient en contact avec le film semi-conducteur organique (25) et qui résultent du mélange, dans un matériau métallique de base (28) comprenant un matériau de base, d'un matériau métallique de faible résistance (29) qui est en contact ohmique avec le film semi-conducteur organique (25) et dont la résistance de contact avec ce dernier est inférieure à celle du matériau métallique de base (28), le matériau métallique de faible résistance (29) étant disposé de manière à être exposé au moins au niveau de la surface de contact (CS) au film semi-conducteur organique (25). 本発明は、有機半導体膜に対する複合金属電極の接触抵抗を低下させつつも、複合金属電極自身の電気抵抗を低下させるとともに製造コストを低下させることを目的とする。本発明のＴＦＴ１７は、有機半導体材料からなる有機半導体膜２５と、有機半導体膜２５に接触する複合金属電極をなすソース電極１７ｂ及びドレイン電極１７ｃであって、金属材料からなるベース金属材２８に、有機半導体膜２５に対してオーミック接触してその接触抵抗がベース金属材２８よりも低い低抵抗金属材２９を混在させるとともに、低抵抗金属材２９が少なくとも有機半導体膜２５に対する接触面ＣＳに露出する形で配されてなるソース電極１７ｂ及びドレイン電極１７ｃと、を備える。