INSPECTION METHODS, SUBSTRATES HAVING METROLOGY TARGETS, LITHOGRAPHIC SYSTEM AND DEVICE MANUFACTURING METHOD

Disclosed is a method of measuring overlay between upper and lower layers on a substrate using metrology targets formed by a lithographic process. The lithographic process is of a multiple-patterning type whereby first and second distinct populations of structures are formed in a single one of said layers (L1) by respective first and second patterning steps. The metrology target (620) in the single one of said layers comprises a set of structures of which different subsets (642A, 642B) are formed in said first and second patterning steps. An overlay measurement on this target can be used to calculate a combined (average) overlay performance parameter for both of the first and second patterning steps. L'invention porte sur un procédé de mesure de recouvrement entre des couches supérieure et inférieure sur un substrat en utilisant des cibles de métrologie formées par un traitement lithographique. Le traitement lithographique est d'un type à formations de motifs multiples selon lequel des première et seconde populations distinctes de structures sont formées dans l'une unique desdites couches (L1) par des première et seconde étapes de formation de motifs respectives. La cible de métrologie (620) dans l'unique couche desdites couches comprend un ensemble de structures dont différents sous-ensembles (642A, 642B) sont formés dans lesdites première et seconde étapes de formation de motifs. Une mesure de recouvrement sur cette cible peut être utilisée pour calculer un paramètre de performance de recouvrement (moyen) combiné pour les première et seconde étapes de formation de motifs.