METHOD OF SYNTHESIZING A BI-DOMAIN STRUCTURE IN FERROELECTRIC SINGLE CRYSTAL WAFERS

Invention relates to the information of bidomain structure in ferroelectric single crystals and can be used in nanotech and micromechanics for fabrication and operation of precise positioning devices, such as probe microscopes, tunable laser resonators, optics adjustment etc. The technical result ac...

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	KISELEV, DMITRIY ALEKSANDROVICH, PARKHOMENKO, YURIY NIKOLAEVICH, MALINKOVICH, MIKHAIL DAVYDOVICH, BYKOV, ALEXANDER SERGEEVICH, GRIGORYAN, SEDRAK GURGENOVICH, ZHUKOV, ROMAN NIKOLAEVICH, KUBASOV, ILYA VIKTOROVICH
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre
Schlagworte:	AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE APPARATUS THEREFOR CHEMISTRY CRYSTAL GROWTH DEVICES OR ARRANGEMENTS, THE OPTICAL OPERATION OF WHICH ISMODIFIED BY CHANGING THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIUM OF THEDEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF THE INTENSITY,COLOUR, PHASE, POLARISATION OR DIRECTION OF LIGHT, e.g.SWITCHING, GATING, MODULATING OR DEMODULATING FREQUENCY-CHANGING METALLURGY NON-LINEAR OPTICS OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS OPTICAL LOGIC ELEMENTS OPTICS PHYSICS PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE SINGLE-CRYSTAL-GROWTH TECHNIQUES OR PROCEDURES FOR THE OPERATION THEREOF UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Invention relates to the information of bidomain structure in ferroelectric single crystals and can be used in nanotech and micromechanics for fabrication and operation of precise positioning devices, such as probe microscopes, tunable laser resonators, optics adjustment etc. The technical result achieved is the formation of bi-domain boundary, along with increased efficiency and stability of transforming electric signals to elastic deformations, raising sensitivity and precision due to the absence of mechanical hysteresis, creep and residual deformations in wide range of working temperatures with a high linearity of the voltage-to-mechanical deformation dependence. La présente invention concerne les informations de structure à deux domaines dans des monocristaux ferroélectriques et peut être utilisée en nanotechnologie et micromécanique pour fabrication et mise en œuvre de dispositifs de positionnement précis, tels que des microscopes à sonde, des résonateurs à laser accordable, le réglage d'optiques etc. Le résultat technique obtenu est la formation d'une limite à deux domaines, avec le rendement et la stabilité accrus de transformation de signaux électriques en déformations élastiques, d'élévation de sensibilité et de précision due à l'absence d'hystérésis mécanique, de fluage et de déformations résiduelles dans une large plage de températures de travail ayant une linéarité élevée de la dépendance tension à déformation mécanique.