SOLID STATE IMAGING DEVICE, MANUFACTURING METHOD OF THE SAME, AND ELECTRONIC EQUIPMENT

A solid state imaging device (44) that includes a phase difference detection pixel (81) which is a pixel for phase difference detection; a first imaging pixel (82) which is a pixel for imaging and is adjacent to the phase difference detection pixel; and a second imaging pixel (83) which is a pixel for imaging other than the first imaging pixel. An area of a color filter (94) of the first imaging pixel is smaller than an area of a color filter (97) of the second imaging-pixel. La présente invention concerne un dispositif d'imagerie à semi-conducteurs qui comprend : un pixel de détection de différence de phase qui est un pixel servant à la détection d'une différence de phase ; un premier pixel d'imagerie qui est un pixel pour l'imagerie et qui est adjacent au pixel de détection de différence de phase ; et un second pixel d'imagerie qui est un pixel pour l'imagerie autre que le premier pixel d'imagerie. Une zone d'un filtre de couleur du premier pixel d'imagerie est plus petite qu'une zone d'un filtre de couleur du second pixel d'imagerie.