TERMINATION STRUCTURE AND FABRICATION METHOD THEREOF

A semiconductor device comprises a shielded gate (SHG) transistor in an active region of a substrate, the active region being surrounded by a termination region, and a first poly-silikon layer in the SHG transistor. The first poly-silicon layer extends over and into the termination region. L'in...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	CHUANG, CHIAO-SHUN, LIN, CHE-YUNG, HUANG, CHENGIN, CHEN, KAIYU
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:	A semiconductor device comprises a shielded gate (SHG) transistor in an active region of a substrate, the active region being surrounded by a termination region, and a first poly-silikon layer in the SHG transistor. The first poly-silicon layer extends over and into the termination region. L'invention concerne un dispositif à semi-conducteurs qui comprend un transistor à grille blindée (SHG) dans une région active d'un substrat, la région active étant entourée par une région de terminaison, et une première couche de polysilicium dans le transistor SHG. La première couche de polysilicium s'étend sur et dans la région de terminaison.