CYCLIC DEPOSITION METHOD FOR THIN FILM AND MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

According to one embodiment of the present invention, a cyclic method for depositing a thin film comprises a step for depositing an oxide film and a plasma processing step, wherein the step for depositing an oxide film repeatedly performs: a deposition step for depositing an object with a silicon thereon by injecting a silicon precursor into a chamber loaded with the object; a first purge step for removing an unreacted silicon precursor and a reaction byproduct from the inside of the chamber; a reaction step for forming the deposited silicon onto an oxide film comprising a silicon by introducing a first reaction source comprising oxygen into the chamber; and a second purge step for removing the unreacted first reaction source and the reaction byproduct from the inside of the chamber, and wherein the plasma processing step processes the oxide film comprising the silicon by introducing the plasma generated from the second reaction source comprising nitrogen into the chamber. Selon un mode de réalisation, la présente invention concerne un procédé cyclique permettant de déposer une couche mince qui consiste en une étape permettant de déposer une pellicule d'oxyde et une étape de traitement par plasma, l'étape permettant de déposer une pellicule d'oxyde consistant à répéter : une étape de dépôt permettant de déposer un objet sur lequel est déposé un silicium en injectant un précurseur de silicium dans une chambre chargée de l'objet ; une première étape de purge permettant de retirer un précurseur de silicium n'ayant pas réagi et un sous-produit de réaction de l'intérieur de la chambre ; une étape de réaction permettant de former le silicium déposé sur une pellicule d'oxyde comprenant un silicium en introduisant une première source de réaction comprenant de l'oxygène dans la chambre ; et une seconde étape de purge permettant de retirer la première source de réaction n'ayant pas réagi et le sous-produit de réaction de l'intérieur de la chambre, et l'étape de traitement par plasma traitant la pellicule d'oxyde comprenant le silicium en introduisant le plasma généré par la seconde source de réaction comprenant de l'azote dans la chambre. 본 발명의 일 실시예에 의하면, 사이클릭 박막 증착 방법은, 대상물이 로딩된 챔버의 내부에 실리콘 전구체를 주입하여 상기 대상물 상에 실리콘을 증착하는 증착 단계, 상기 챔버의 내부에서 미반응 실리콘 전구체 및 반응 부산물을 제거하는 제1 퍼지 단계, 상기 챔버의 내부에 산소를 포함하는 제1 반응 소스를 공급하여 증착된 상기 실리콘을 실리콘이 포함되는 산화막으로 형성하는 반응 단계 및 상기 챔버의 내부에서 미반응의 제1 반응 소스와 반응 부산물을 제거하는 제2 퍼지 단계를 반복하여 수행하는 산화막 증착 단계; 그리고 상기 챔버의 내부에 질소를 포함하는 제2 반응 소스로부터 생성된 플라즈마를