MEMORY EFFECT REDUCTION USING LOW IMPEDANCE BIASING

A circuit includes a bias circuit for a biased transistor. The bias circuit includes a master-slave source follower circuit, a reference transistor, and a bias circuit voltage output coupled to the biased transistor and configured to provide a bias voltage. The reference transistor has a transconductance substantially identical to a transconductance of the biased transistor. A signal ground circuit may be coupled between the biased transistor and one or more components of the bias circuit that do not generate significant return currents to a power supply ground. A method includes generating a current in a reference transistor according to a first voltage generated using a master source follower circuit, generating a second voltage substantially identical to the first voltage using a slave source follower circuit, and providing the second voltage to a biased transistor. The reference transistor has a transconductance substantially identical to a transconductance of the biased transistor. L'invention concerne un circuit qui comprend un circuit de polarisation pour un transistor polarisé. Le circuit de polarisation comprend un circuit à source chargée maître-esclave, un transistor de référence et une sortie de tension de circuit de polarisation couplée au transistor polarisé et configurée pour fournir une tension de polarisation. Le transistor de référence possède une transconductance sensiblement identique à la transconductance du transistor polarisé. Un circuit de masse de signal peut être couplé entre le transistor polarisé et un ou plusieurs composants du circuit de polarisation qui ne génèrent pas de courants de retour significatifs vers une masse de l'alimentation. Un procédé est également décrit qui consiste à générer un courant dans un transistor de référence en fonction d'une première tension générée à l'aide d'un circuit à source chargée maître, à générer une seconde tension sensiblement identique à la première tension à l'aide d'un circuit à source chargée esclave, et à fournir la seconde tension à un transistor polarisé. Le transistor de référence possède une transconductance sensiblement identique à la transconductance du transistor polarisé.