WET PROCESS CERIA COMPOSITIONS FOR POLISHING SUBSTRATES, AND METHODS RELATED THERETO

Disclosed are a chemical-mechanical polishing composition and a method of polishing a substrate. The polishing composition comprises low average particle size (e.g., 30 nm or less) wet-process ceria abrasive particles, at least one alcohol amine, and water, wherein said polishing composition has a pH of 6. The polishing composition can be used, e.g., to polish any suitable substrate, such as a polysilicon wafer used in the semiconductor industry. L'invention concerne une composition de polissage chimique-mécanique et un procédé de polissage d'un substrat. La composition de polissage comprend des particules abrasives d'oxyde de cérium traité par voie humide ayant une faible taille moyenne de particule (par ex, 30 nm ou moins), au moins un alcool amine et de l'eau, ladite composition de polissage ayant un pH de 6. La composition de polissage peut être utilisée, par exemple, pour polir un substrat approprié quelconque, notamment une tranche de polysilicium utilisée dans l'industrie des semi-conducteurs.