A PREDICTIVE METHOD OF MATCHING TWO PLASMA REACTORS
Etch rate distribution non-uniformities are predicted for a succession of hardware tilt angles of the RF source applicator relative to the workpiece, and the behavior is modeled as a non-uniformity function for each one of at least two plasma reactors. An offset Δα in tilt angle α between the non-un...
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Format: | Patent |
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Zusammenfassung: | Etch rate distribution non-uniformities are predicted for a succession of hardware tilt angles of the RF source applicator relative to the workpiece, and the behavior is modeled as a non-uniformity function for each one of at least two plasma reactors. An offset Δα in tilt angle α between the non-uniformity functions of the two plasma reactors is detected. The two reactors are then matched by performing a hardware tilt in one of them through a tilt angle equal to the offset Δα.
Selon l'invention, des non-uniformités de distribution de vitesse de gravure sont prédites pour une succession d'angles d'inclinaison du matériel de l'applicateur de la source à RF par rapport à la pièce à usiner, et le comportement est modélisé comme une fonction de non-uniformité pour chaque réacteur parmi au moins deux réacteurs à plasma. Un décalage Δα de l'angle d'inclinaison α entre les fonctions de non-uniformité des deux réacteurs à plasma est détecté. Les deux réacteurs sont alors associés en effectuant une inclinaison du matériel dans l'un d'entre eux d'un angle d'inclinaison égal au décalage Δα. |
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