ETCHING METHOD, ETCHING DEVICE, AND STORAGE MEDIUM

[Problem] To perform precise etching treatment on a wafer by maintaining in a given range the concentration of leached components in an etching solution leaching from a wafer, without completely replacing the etching solution. [Solution] This etching method comprises a plurality of etching steps, and an interval step between each of the etching steps. Each etching step contains a first partial replacement pattern wherein only a first set amount of the etching solution supplied for the etching treatment is discharged, and only a second set amount of fresh etching solution is supplied. The interval step contains a second partial replacement pattern wherein only a third set amount of the etching solution supplied for the etching treatment is discharged, and only a fourth set amount of fresh etching solution is supplied. [Problème] Réaliser un traitement de gravure précis sur une plaquette en maintenant dans une plage donnée la concentration de composants lixiviés dans une solution de gravure résultant de la lixiviation d'une plaquette, sans remplacer complètement la solution de gravure. [Solution] Ce procédé de gravure comprend une pluralité d'étapes de gravure, et une étape par intervalles entre chacune des opérations de gravure. Chaque étape de gravure comprend un premier motif de remplacement partiel où seule une première quantité déterminée de la solution de gravure fournie pour le traitement de gravure est évacuée, et seulement une deuxième quantité déterminée de solution de gravure fraîche est fournie. L'étape par intervalles contient un premier motif de remplacement partiel dans lequel seule une première quantité établie de la solution de gravure fournie pour le traitement de gravure est évacuée, et seulement une deuxième quantité déterminée de solution de gravure fraîche est fournie. ［課題］エッチング液を全部交換することなく、ウエハから溶出されるエッチング液中の溶出成分濃度を決められた一定の範囲に保って、ウエハに対して精度良くエッチング処理を施す。 ［解決手段］エッチング方法は、複数のエッチング工程と、各エッチング工程間のインターバル工程とを備えている。各エッチング工程はエッチング処理に供されたエッチング液を第１設定量だけ排出し、新規エッチング液を第２設定量だけ供給する第１部分交換パターンを含む。インターバル工程はエッチング処理に供されたエッチング液を第３設定量だけ排出し、新規エッチング液を第４設定量だけ供給する第２部分交換パターンを含む。