SEMICONDUCTOR DEVICE AND DIELECTRIC FILM

The semiconductor device of the embodiment is provided with a first conducting layer, a second conducting layer, and, between the first conducting layer and the second conducting layer, a dielectric film containing a fluorite crystal, wherein positive ion sites contain at least any one of Hf (hafnium) or Zr (zirconium) and negative ion sites contain O (oxygen), and, a, b and c fulfill a predetermined relationship, when, among the three axes of the primitive unit cell of the crystal, the axis in the direction with no inversion symmetry is the c-axis, the layering direction of two species of atom planes formed by negative ions in different arrangement positions is the a-axis, and the remainder is the b-axis, a is the axis length of the a-axis of the primitive unit cell, b is the axis length of the b-axis, and c is the axis length of the c-axis, p is a parameter, and x, y, z, u, v and w are values represented using the parameter p. Selon un mode de réalisation, l'invention concerne un dispositif à semi-conducteur qui comporte une première couche conductrice, une seconde couche conductrice et, entre la première couche conductrice et la seconde couche conductrice, un film diélectrique contenant un cristal de fluorite. Des sites d'ions positifs contiennent Hf (hafnium) et/ou Zr (zirconium) et des sites d'ions négatifs contiennent O (oxygène), et a, b et c satisfont une relation prédéterminée quand, parmi les trois axes de la cellule unitaire primitive du cristal, l'axe dans la direction sans symétrie d'inversion est l'axe c, la direction de stratification de deux espèces de plans atomiques formés par des ions négatifs dans différentes positions d'agencement est l'axe a, et l'axe restant est l'axe b, a est la longueur d'axe de l'axe a de la cellule unitaire primitive, b est la longueur d'axe de l'axe b et c est la longueur d'axe de l'axe c, p est un paramètre, et x, y, z, u, v et w sont des valeurs représentées à l'aide du paramètre p. 実施形態の半導体装置は、第１の導電層と、第２の導電層と、第１の導電層と第２の導電層との間に設けられ、蛍石型の結晶を含み、上記結晶の原型単位胞の３つの軸のうち、反転対称性がない方向の軸をｃ軸、異なる配置位置の陰イオンが形成する２種の原子面の積層方向をａ軸、残りをｂ軸とし、原型単位胞のａ軸の軸長をａ、ｂ軸の軸長をｂ、ｃ軸の軸長をｃとし、媒介変数をｐとし、ｘ、ｙ、ｚ、ｕ、ｖ、ｗを媒介変数ｐを用いて表される値とした場合に、ａ、ｂ、ｃが所定の関係を充足し、陽イオンサイトにはＨｆ（ハフニウム）またはＺｒ（ジルコニウム）の少なくともいずれか一方が入り、陰イオンサイトにはＯ（酸素）が入る誘電体膜と、を備える。