PHOTOVOLTAIC SOLAR CELL AND METHOD FOR PRODUCING A METALLIC CONTACT-CONNECTION OF A PHOTOVOLTAIC SOLAR CELL

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer metallischen Kontaktierung einer photovoltaischen Solarzelle, folgende Verfahrensschritte umfassend : A Bereitstellen eines Halbleitersubstrates und B Aufbringen einer aluminiumhaltigen Kontaktierungsschicht mittelbar oder unmittelbar auf eine Seite des Halbleitersubstrates; Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass in einem Verfahrensschritt C eine Diffusionsbarrierenschicht, welche als Diffusionsbarriere zumindest gegenüber Aluminium wirkt, mittelbar oder unmittelbar auf die Kontaktierungsschicht aufgebracht wird und in einem Verfahrensschritt D eine lötbare Schicht aus einem lötbaren Material unmittelbar oder mittelbar auf die Diffusionsbarrierenschicht aufgebracht wird und dass die Diffusionsbarrierenschicht und die Kontaktierungsschicht mittels eines PVD-Verfahrens aufgebracht werden. The invention relates to a method for producing a metallic contact-connection of a photovoltaic solar cell, comprising the following method steps: A providing a semiconductor substrate and B applying an aluminum-containing contact-connection layer indirectly or directly to a side of the semiconductor substrate. The invention is characterized in that in a method step C a diffusion barrier layer, which acts as a diffusion barrier at least with respect to aluminum, is applied indirectly or directly to the contact-connection layer, and in a method step D a solderable layer composed of a solderable material is applied indirectly or directly to the diffusion barrier layer, and in that the diffusion barrier layer and the contact-connection layer are applied by means of a PVD method. L'invention concerne un procédé de réalisation de connexions métalliques dans une cellule solaire photovoltaïque, comprenant les étapes suivantes : A) préparation d'un substrat semi-conducteur, et B) dépôt d'une couche de connexion contenant de l'aluminium indirectement ou directement sur une face du substrat semi-conducteur. L'invention est caractérisée en ce que, dans une étape de procédé C), on dépose une couche barrière de diffusion, qui fait fonction de barrière de diffusion au moins vis-à-vis de l'aluminium, indirectement ou directement sur la couche de connexion et, dans une étape de procédé D), on dépose une couche soudable, constituée d'un matériau soudable, directement ou indirectement sur la couche barrière de diffusion, et en ce qu'on réalise la couche barrière de diffusion et la couche de connexion en utilisant un procédé de