MEMORY CELLS, METHODS OF FABRICATION, AND SEMICONDUCTOR DEVICES

A magnetic cell includes an attracter material proximate to a magnetic region (e.g., a free region). The attracter material is formulated to have a higher chemical affinity for a diffusible species of a magnetic material, from which the magnetic region is formed, compared to a chemical affinity between the diffusible species and at least another species of the magnetic material. Thus, the diffusible species is removed from the magnetic material to the attracter material. The removal accommodates crystallization of the depleted magnetic material. The crystallized, depleted magnetic material enables a high tunnel magnetoresistance, high energy barrier, and high energy barrier ratio. The magnetic region may be formed as a continuous magnetic material, thus enabling a high exchange stiffness, and positioning the magnetic region between two magnetic anisotropy inducing oxide regions enables a high magnetic anisotropy strength. Methods of fabrication and semiconductor devices are also disclosed. L'invention concerne une cellule magnétique incluant un matériau d'attraction à proximité d'une région magnétique (par exemple, une région libre). Le matériau d'attraction est formulé pour avoir une affinité chimique supérieure pour une espèce pouvant être diffusée d'un matériau magnétique, à partir duquel la région magnétique est formée, comparée à une affinité chimique entre l'espèce pouvant être diffusée et au moins d'autres espèces du matériau magnétique. Ainsi, l'espèce pouvant être diffusée est retirée du matériau magnétique vers le matériau d'attraction. Le retrait loge la cristallisation du matériau magnétique appauvri. La matériau magnétique appauvri et cristallisé permet une magnétorésistance tunnel élevée, une barrière d'énergie élevée et un rapport de barrière d'énergie élevé. La région magnétique peut prendre la forme d'un matériau magnétique continu, permettant ainsi une rigidité d'échange élevée, et le positionnement de la région magnétique entre deux régions d'oxyde induisant une anisotropie magnétique permet une résistance à l'anisotropie magnétique élevée. L'invention concerne également des procédés de fabrication et des dispositifs à semi-conducteur.