LIGHT-SCATTERING BULB FOR A SEMICONDUCTOR RETROFIT LAMP

Der lichtstreuende Kolben (1) ist für eine Halbleiter-Retrofitlampe (R1) vorgesehen, wobei der Kolben (1) eine hohlzylindrische Grundform aufweist, wobei der Kolben (1) einen Grundkörper (2) aus Glas aufweist, der Grundkörper (2) mit einer lichtstreuenden Schicht (4) beschichtet ist und die lichtstreuende Schicht (4) in einem lichtdurchlässigen Basismaterial verteilte Streupartikel (P1, P2) aufweist, das Basismaterial ein anorganisches bleifreies Basismaterial (G) ist und die Streupartikel (P1, P2) anorganische Streupartikel sind. Ein Verfahren dient zum Herstellen eines Kolbens (1), wobei das Verfahren mindestens die folgenden Schritte aufweist: Beschlämmen des Grundkörpers (2) aus Glas mit einem Beschichtungsmittel, welches ein Ausgangsmaterial zur Herstellung der lichtstreuenden Schicht (4) des Kolbens (1) ist; und abschnittsweises Trocknen des Beschichtungsmittels sowie das Einbrennen der Schicht zur Umwandlung in die lichtstreuenden Schicht (4), wobei das Trocken zeitlich versetzt in Fließrichtung des Beschichtungsmittels durchgeführt wird. Die Erfindung ist insbesondere anwendbar auf Halbleiter-Retrofitlampen für Gasentladungsröhren und Linienlampen. The light-scattering bulb (1) is provided for a semiconductor retrofit lamp (R1), said bulb (1) having a basic hollow cylindrical shape. The bulb (1) has a main part (2) made of glass, and the main part (2) is coated with a light-scattering layer (4). The light-scattering layer (4) has scattering particles (P1, P2) distributed in a translucent base material. The base material is an inorganic lead-free base material (G), and the scattering particles (P1, P2) are inorganic scattering particles. A method is used to produce a bulb (1), said method having at least the following steps: coating the main part (2) made of glass with a coating agent, which is a starting material for producing the light-scattering layer (4) of the bulb (1); and drying some sections of the coating agent and baking the layer so as to convert same into the light-scattering layer (4), said drying process being carried out in a staggered manner in the flow direction of the coating agent. The invention can be used in particular for semiconductor retrofit lamps for gas discharge tubes and linear lamps. Ampoule (1) diffusant la lumière pour une lampe de remplacement à semiconducteur (R1), qui présente une forme de base cylindrique creuse. L'ampoule (1) comporte un corps de base (2) en verre. Le corps de base (2) est revêtu d'une couche (4)