FIN FORMATION BY EPITAXIAL DEPOSITION

Methods of forming a fin structure for a field effect transistor are described. The methods may include the operations of patterning a mandrel on a surface of a substrate, and depositing an epitaxial layer of high-mobility channel material over exposed surfaces of the patterned mandrel. The epitaxial layer leaves a gap between adjacent columns of the patterned mandrel, and a dielectric material may be deposited in the gap between the adjacent columns of the patterned mandrel. The methods may also include planarizing the epitaxial layer to form a planarized epitaxial layer and exposing the columns of the patterned mandrel, and etching at least a portion of the exposed columns of the patterned mandrel and the dielectric material to expose at least a portion of the planarized epitaxial layer that forms the fin structure. La présente invention concerne des procédés de formation d'une structure à ailettes pour un transistor à effet de champ. Les procédés peuvent comprendre les opérations consistant à former les motifs d'un mandrin sur une surface d'un substrat, et à déposer une couche épitaxiale d'un matériau de canal à haute mobilité sur des surfaces exposées du mandrin imprimé. La couche épitaxiale laisse un espace entre des colonnes adjacentes du mandrin imprimé, et un matériau diélectrique peut être déposé dans l'espace entre les colonnes adjacentes du mandrin imprimé. Les procédés peuvent également consister à aplanir la couche épitaxiale pour former une couche épitaxiale aplanie et à exposer les colonnes du mandrin imprimé, et à graver au moins une partie des colonnes exposées du mandrin imprimé et du matériau diélectrique afin d'exposer au moins une partie de la couche épitaxiale aplanie qui forme la structure à ailettes.