STACKED REDISTRIBUTION LAYERS ON DIE

Some implementations provide a semiconductor device (e.g., die) that includes a substrate, several metal layers and dielectric layers coupled to the substrate, a pad coupled to one of the plurality of metal layers, a first metal redistribution layer coupled to the pad, and a second metal redistribution layer coupled to the first metal redistribution layer. The second metal redistribution layer includes a cobalt tungsten phosphorous material. In some implementations, the first metal redistribution layer is a copper layer. In some implementations, the semiconductor device further includes a first underbump metallization (UBM) layer and a second underbump metallization (UBM) layer. Certaines formes de réalisation de l'invention concernent un dispositif à semi-conducteur (p. ex. puce), qui comprend un substrat, plusieurs couches métalliques et couches diélectriques couplées au substrat, une plage de connexion couplée à une de la pluralité des couches métalliques, une première couche de redistribution métallique couplée à la plage de connexion, et une seconde couche de redistribution métallique, couplée à la première couche de redistribution métallique. La seconde couche de redistribution métallique comprend une matière phosphoreuse de cobalt tungstène. Dans certaines formes de réalisation, la première couche de redistribution métallique est une couche de cuivre. Dans certaines formes de réalisation, le dispositif à semi-conducteur comprend en outre une première couche de métallisation sous bosse (UBM) et une seconde couche de métallisation sous bosse (UBM).