METHOD FOR DIVIDING A COMPOSITE INTO SEMICONDUCTOR CHIPS, AND SEMICONDUCTOR CHIP

Es wird ein Verfahren zum Vereinzeln eines Verbunds (1) in eine Mehrzahl von Halbleiterchips (10) entlang eines Vereinzelungsmusters angegeben. Ein Verbund, der einen Träger (4), eine Halbleiterschichtenfolge (2) und eine funktionale Schicht (3) aufweist wird bereitgestellt. Trenngräben (45) in dem...

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1. Verfasser: KÄMPF, MATHIAS
Format: Patent
Sprache:eng ; fre ; ger
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Beschreibung
Zusammenfassung:Es wird ein Verfahren zum Vereinzeln eines Verbunds (1) in eine Mehrzahl von Halbleiterchips (10) entlang eines Vereinzelungsmusters angegeben. Ein Verbund, der einen Träger (4), eine Halbleiterschichtenfolge (2) und eine funktionale Schicht (3) aufweist wird bereitgestellt. Trenngräben (45) in dem Träger entlang des Vereinzelungsmusters werden ausgebildet. Die funktionale Schicht wird mittels kohärenter Strahlung entlang des Vereinzelungsmusters durchtrennt. Die vereinzelten Halbleiterchips weisen jeweils einen Teil der Halbleiterschichtenfolge, des Trägers und der funktionalen Schicht auf. Weiterhin wird ein Halbleiterchip (10) angegeben. The invention relates to a method for dividing a composite (1) into a plurality of semiconductor chips (10) along a dividing pattern. A composite, which comprises a substrate (4), a semiconductor layer sequence (2), and a functional layer (3), is provided. Separating trenches (45) are formed in the substrate along the dividing pattern. The functional layer is cut through along the dividing pattern by means of coherent radiation. Each divided semiconductor chip has part of the semiconductor layer sequence, part of the substrate, and part of the functional layer. The invention further relates to a semiconductor chip (10). L'invention concerne un procédé pour séparer un assemblage (1) en une multitude de puces semi-conductrices (10) le long d'un motif de séparation. Un assemblage, qui présente un support (4), une succession de couches semi-conductrices (2) et une couche fonctionnelle (3), est mis à disposition. Des sillons de séparation (45) sont formés dans le support le long du motif de séparation. La couche fonctionnelle est coupée au moyen d'un rayonnement cohérent le long du motif de séparation. Les puces semi-conductrices séparées présentent à chaque fois une partie de la succession de couches semi-conductrices, du support et de la couche fonctionnelle. L'invention concerne également une puce semi-conductrice (10).