POWER MODULE

The present invention increases the reliability of a power module and decreases unevenness in characteristics of an SiC unipolar element stemming from unevenness in epi concentration of an SiC wafer. The power module is configured from at least two types of elements differing from each other in surface structure as SiC elements having the same function connected in parallel. When a JBS-structured Schottky barrier diode is used as an SiC element, the on voltage (Vf) is controlled by changing the pattern shape at an n-type semiconductor region and a p-type semiconductor region at the surface, thus cancelling Vf fluctuations stemming from epi concentration. L'invention augmente la fiabilité d'un module de puissance et diminue l'irrégularité des caractéristiques d'un élément unipolaire SiC due à l'irrégularité de la concentration épitaxiale d'une tranche SiC. Le module de puissance est configuré à partir d'au moins deux types d'éléments différents l'un de l'autre dans une structure de surface, en tant qu'éléments SiC ayant la même fonction de connexion en parallèle. Lorsqu'une diode à barrière Schottky de structure JBS est utilisée comme élément SiC, la tension de marche (Vf) est régulée par un changement de forme de la structure à la surface, au niveau d'une région semi-conductrice de type n et d'une région semi-conductrice de type p, ce qui annule les fluctuations Vf issues de la concentration épitaxiale.