FIELD PLATE TRENCH FET AND A SEMICONDUCTOR COMPONENT

Erfindungsgemäß wird ein Feldplatten-Trench-FET (50) zur Verfügung gestellt, welcher ein Substrat (40),ein zumindest teilweise innerhalb des Substrates (40) vergrabenes Gate (30) undeine unterhalb des Gates (30)angeordnete Feldplatte (20) umfasst, wobei sowohl das Gate (30) als auch die Feldplatte (...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	MARTINI, INGO, LIPSKI, FRANK, HOEHR, TIMM, TOLKSDORF, CAROLIN
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre ; ger
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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