FIELD PLATE TRENCH FET AND A SEMICONDUCTOR COMPONENT

Erfindungsgemäß wird ein Feldplatten-Trench-FET (50) zur Verfügung gestellt, welcher ein Substrat (40),ein zumindest teilweise innerhalb des Substrates (40) vergrabenes Gate (30) undeine unterhalb des Gates (30)angeordnete Feldplatte (20) umfasst, wobei sowohl das Gate (30) als auch die Feldplatte (...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	MARTINI, INGO, LIPSKI, FRANK, HOEHR, TIMM, TOLKSDORF, CAROLIN
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre ; ger
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Erfindungsgemäß wird ein Feldplatten-Trench-FET (50) zur Verfügung gestellt, welcher ein Substrat (40),ein zumindest teilweise innerhalb des Substrates (40) vergrabenes Gate (30) undeine unterhalb des Gates (30)angeordnete Feldplatte (20) umfasst, wobei sowohl das Gate (30) als auch die Feldplatte (20) innerhalb eines Grabens (10) im Substrat (40) angeordnet und von einem Isolator (5) umschlossen sind. Erfindungsgemäß ist unterhalb des Grabens (10) ein p-dotiertes Gebiet (2) innerhalb des Substrats (40) angeordnet. Ferner wird ein Halbleiterbauelement (100) mit einem Substrat (40) und einer Vielzahl an innerhalb des Substrates (40) angeordneten erfindungsgemäßen Feldplatten-Trench-FETs (50) zur Verfügung gestellt. The invention provides a field plate trench FET (50) comprising a substrate (40), a gate (30) buried at least partly within the substrate (40), and a field plate (20) arranged below the gate (30), wherein both the gate (30) and the field plate (20) are arranged within a trench (10) in the substrate (40) and are enclosed by an insulator (5). According to the invention, below the trench (10) a p-doped region (2) is arranged within the substrate (40). Furthermore, a semiconductor component (100) comprising a substrate (40) and a multiplicity of field plate trench FETs (50) according to the invention arranged within the substrate (40) is provided. L'invention concerne un FET (50) à tranchée et à plaque de champ qui comporte un substrat (40), une grille (30) incorporée au moins partiellement dans le substrat (40) et une plaque de champ (20) disposée au-dessous de la grille (30). La grille (30) et la plaque de champ (20) sont toutes les deux disposées à l'intérieur d'une tranchée (10) ménagée dans le substrat (40) et sont enfermées par un isolant (5). Selon l'invention, une région à dopage p (2) est disposée à l'intérieur du substrat (40) au-dessous de la tranchée (10). L'invention concerne en outre un composant semi-conducteur (100) comprenant un substrat (40) et une pluralité de FET (50) à tranché et à plaque de champ de l'invention disposées à l'intérieur du substrat.