INTERCONNECT STRUCTURE COMPRISING FINE PITCH BACKSIDE METAL REDISTRIBUTION LINES COMBINED WITH VIAS

A 3D interconnect structure and method of manufacture are described in which metal redistribution layers (RDLs) are integrated with through-silicon vias (TSVs) and using a "plate through resist" type process flow. A silicon nitride or silicon carbide passivation layer may be provided between the thinned device wafer back side and the RDLs to provide a hermetic barrier and polish stop layer during the process flow. L'invention concerne une structure d'interconnexion en 3D et un procédé de fabrication au cours duquel des couches métalliques de redistribution (RDL) sont intégrées avec des trous traversants d'interconnexion en silicium (TSV) et au moyen d'un enchaînement d'opérations du type "agent photorésistant traversant une plaque". Une couche de passivation au nitrure de silicium ou au carbure de silicium peut être présente entre l'arrière de la tranche amincie du dispositif et les couches métalliques de redistribution pour fournir une barrière hermétique et polir la couche d'arrêt pendant l'enchaînement des opérations.