PLASMA PROCESSING APPARATUS AND PLASMA PROCESSING METHOD

In a plasma film-forming apparatus (100), a supplementary plate (9) as a protruding section is mounted on substantially the whole non-placing region (R2) of a lower electrode (5). The supplementary plate (9) has a frame shape, and is disposed to surround the whole rectangular placing region (R1). The supplementary plate (9) is a board-like member that can be attached to and detached from the lower electrode (5), and is configured from a dielectric material, such as quartz, ceramic, and heat-resistant synthetic resin, or a conductive material, such as aluminum, aluminum alloy, and stainless steel. A step (80) between a substrate (S) and the lower electrode (5) is reduced or eliminated by means of the supplementary plate (9), and a gas (G) is made to easily flow to a corner section of the substrate (S). La présente invention concerne un appareil de formation de film de plasma (100), dans lequel une plaque supplémentaire (9) en tant que section saillante est montée sur sensiblement la totalité de la région de non positionnement (R2) d'une électrode inférieure (5). La plaque supplémentaire (9) présente une forme de cadre, et est disposée pour entourer la totalité de la région de positionnement rectangulaire (R1). La plaque supplémentaire (9) est un élément en forme de panneau qui peut être fixé à et séparé de l'électrode inférieure (5), et est conçue à partir d'un matériau diélectrique, tel que du quartz, de la céramique, et une résine synthétique thermorésistante, ou un matériau conducteur, tel que de l'alumine, un alliage d'alumine, et de l'acier inoxydable. Un échelon (80) entre un substrat (S) et l'électrode inférieure (5) est réduit ou éliminé au moyen de la plaque supplémentaire (9), et un gaz (G) peut facilement s'écouler vers une section d'angle du substrat (S).