A METHOD FOR FORMING SILICON GRASS

The present invention relates to a method for forming Si grass structure comprising: forming a silicon well (100); and etching the silicon well to form silicon grass structure (200); characterized in that the step of forming silicon well (100) is conducted using a standard deep reactive ion etching...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	AZLINA, MOHD ZAIN, FADZILAH, ARIFIN, MUHAMAD RAMDZAN, BUYONG
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICALDEVICES MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY PERFORMING OPERATIONS PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTUREOR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS SEMICONDUCTOR DEVICES TRANSPORTING
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Beschreibung
Zusammenfassung:	The present invention relates to a method for forming Si grass structure comprising: forming a silicon well (100); and etching the silicon well to form silicon grass structure (200); characterized in that the step of forming silicon well (100) is conducted using a standard deep reactive ion etching Bosch process using photoresist as the masking material. The present invention provides more surface area of the sensing membrane thus increasing the performance of a sensor. La présente invention concerne un procédé de formation d'une structure à base de Si noir, comprenant les étapes consistant à : former un puits de silicium (100) ; et graver le puits de silicium pour former une structure de silicium noir (200). Ledit procédé est caractérisé en ce que l'étape de formation du puits de silicium (100) est réalisée par procédé Bosch standard de gravure profonde par ions réactifs mettant en œuvre une couche photorésistante en tant que matériau de masquage. Le procédé selon l'invention assure un accroissement de la superficie de la membrane sensible et améliore ainsi la performance d'un capteur.