PHOTOVOLTAIC CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING SUCH A PHOTOVOLTAIC CELL

A photovoltaic cell includes a semiconductor substrate of a first conductivity type, with a first surface arranged with a highly doped surface field layer of the first conductivity type. The substrate has on the highly doped surface field layer at least one contacting area for contacting the surface field layer with a respective contact. In the first surface at the location of said at least one contacting area a doping concentration in the highly doped surface field layer is increased relative to the doping concentration in the surface area outside the first contacting area, and in the first surface at the location of each contacting area the highly doped surface field layer has a profile depth that is larger than a profile depth of the doped surface field layer outside the contacting area. L'invention concerne une cellule photovoltaïque comprenant un substrat semi-conducteur présentant un premier type de conductivité, pourvu d'une première surface possédant une couche de champ de surface fortement dopée présentant le premier type de conductivité. Le substrat présente sur la couche de champ de surface fortement dopée au moins une zone de mise en contact destinée à la mise en contact de la couche de champ de surface avec un contact respectif. Dans la première surface, à l'emplacement de ladite ou desdites zones de mise en contact, une concentration dopante dans la couche de champ de surface fortement dopée est augmentée par rapport à la concentration dopante dans la zone de surface à l'extérieur de la première zone de mise en contact, et dans la première surface à l'emplacement de chaque zone de mise en contact, la couche de champ de surface fortement dopée présente un profil de profondeur supérieur à un profil de profondeur de la couche de champ de surface dopée à l'extérieur de la zone de mise en contact.