METHOD FOR FORMING THIN FILM

Reactive sputtering, wherein a compound thin film having a stable film quality is obtained at a high film-forming speed. The thin film is formed by voltage monitoring control (VC) and gas flow rate monitoring control (QC1). The voltage monitoring control (VC) is control in which, in a first cycle time (tv), a subject voltage (V) is monitored, whereby the gas flow rate (Q) is adjusted so that the subject voltage (V) value approaches a target voltage (Vt) value. The gas flow rate monitoring control (QC1) is control in which, in a second cycle time (tq1 (> tv)), the gas flow rate (Q) is monitored, whereby the target voltage (Vt) for the subject voltage (V) is changed so that the gas flow rate (Q) value approaches a target gas flow rate (Qt) value. La présente invention concerne une diffusion réactive, permettant d'obtenir une couche mince composée dont la qualité de couche est stable avec une vitesse de formation de couche élevée. La couche mince est formée par commande de la surveillance de la tension (VC) et commande de la surveillance du débit de gaz (QC1). La commande de la surveillance de la tension (VC) est une commande par laquelle, dans un premier cycle temporel (tv), une tension sujette (V) est surveillée, permettant ainsi d'ajuster le débit de gaz (Q) de telle sorte que la valeur de la tension sujette (V) approche une valeur de tension cible (Vt). La commande de la surveillance du débit de gaz (QC1) est une commande par laquelle, dans un second cycle temporel (tq1 (>tv)), le débit de gaz (Q) est surveillé, permettant ainsi de modifier la tension cible (Vt) pour la tension sujette (V) de telle sorte que la valeur du débit de gaz (Q) approche une valeur cible de débit de gaz (Qt).