METHOD FOR PRODUCING SILICON INGOT, AND SILICON INGOT

The purpose of the present invention is to produce a silicon ingot having a region that contains little defects and has excellent crystallinity in a simple manner. A method for producing a silicon ingot according to the present invention comprises: a first step of preparing a mold; a second step of supplying a first silicon melt to the inside of the mold and then solidifying the first silicon melt on the bottom part in the mold to form a first solidified layer having a first region and a second region formed on the first region, wherein the density of defects that can serve as etch pits upon an etching treatment on a cross section in the second region is higher than that in the first region; and a third step of supplying a second silicon melt onto the first solidified layer in the mold and then solidifying the second silicon melt in one direction that extends upwardly from the first solidified layer to form a second solidified layer having a third region, wherein the density of defects that can serve as etch pits upon an etching treatment on a cross section in the third region is lower than that in the second region. La présente invention concerne la production simple d'un lingot de silicium possédant une région qui contient de petits défauts et qui présente une excellente cristallinité. Le procédé de production d'un lingot de silicium de la présente invention comprend : une première étape de préparation d'un moule ; une deuxième étape d'introduction d'une première coulée de silicium sur l'intérieur du moule puis de solidification de la première coulée de silicium sur la partie inférieure du moule pour former une première couche solidifiée possédant une première région et une deuxième région formée sur la première région, la densité des défauts pouvant servir de figures d'attaque au moment du traitement par attaque chimique sur une section transversale dans la deuxième région étant supérieure à celle de la première région ; et une troisième étape d'introduction d'une seconde coulée de silicium sur la première couche solidifiée dans le moule puis de solidification de la seconde coulée de silicium dans une direction qui s'étend vers le haut depuis la première couche solidifiée pour former une seconde couche solidifiée possédant une troisième région, la densité des défauts pouvant servir de figures d'attaque au moment du traitement par attaque chimique sur la section transversale dans la troisième région étant plus faible que celle de la deuxième région.