LEAD FRAME CONSTRUCT FOR LEAD-FREE SOLDER CONNECTIONS

An electronics packaging arrangement, a lead frame construct for use in an electronics packaging arrangement, and a method for manufacturing an electronics packaging arrangement. A lead frame made of copper, for example, includes a metallic barrier layer of nickel, for example, to prevent oxidation of the metal of the lead frame. A relatively thin wetting promoting layer of copper, for example, is provided on the metallic barrier layer to promote uniform wetting of a solder, such as a lead-free, zinc-based solder, onto the lead frame during a die connect process by which a chip is connected to the lead frame. A copper/zinc intermetallic layer is formed during the flow and solidification of the solder. Substantially all of the copper in the copper layer is consumed during formation of the copper/zinc intermetallic layer, and the intermetallic layer is sufficiently thin to resist internal cracking failure during manufacture and subsequent use of the electronics packaging arrangement. L'invention concerne un agencement de boîtier de composants électroniques, une construction de châssis de brochage devant être utilisée dans un agencement de boîtier de composants électroniques. L'invention concerne également un procédé de fabrication d'un agencement de boîtier de composants électroniques. Un châssis de brochage fait en cuivre, par exemple, comprend une couche barrière métallique de nickel, par exemple, pour prévenir toute oxydation du métal du châssis de brochage. Une couche relativement mince en cuivre favorisant le mouillage, par exemple, est située sur la couche barrière métallique pour favoriser le mouillage uniforme d'une brasure, telle qu'une brasure à base de zinc sans plomb, sur le châssis de brochage pendant un procédé de connexion de puce par lequel une puce est connectée au châssis de brochage. Une couche intermétallique en cuivre/zinc est formée pendant le flux et la solidification de la brasure. Sensiblement tout le cuivre de la couche en cuivre est consommé pendant la formation de la couche intermétallique en cuivre/zinc, et la couche intermétallique est suffisamment mince pour résister à une défaillance due à une fissure interne pendant la fabrication et l'utilisation ultérieure de l'agencement de boîtier de composants électroniques.