SELF-CLEANING RADIO FREQUENCY PLASMA SOURCE

A self-cleaning radio frequency (RF) plasma source for a semiconductor manufacturing process is described. Various examples provide an RF plasma source comprising an RF antenna and a rotatable dielectric sleeve disposed around the RF antenna. The dielectric is positioned between a process chamber and cleaning chamber such that portions of the surface of the dielectric may be exposed to either the process chamber or the cleaning chamber. As material is deposited on the outer surface of the dielectric in the process chamber, the dielectric sleeve is rotated so that the portion containing the buildup is exposed to the cleaning chamber. A sputtering process in the cleaning chamber removes the buildup from the surface of the sleeve. The dielectric sleeve is then rotated so that it exposed to the process chamber. Other embodiments are disclosed and claimed. La présente invention concerne une source de plasma radiofréquence (RF) auto-nettoyante pour un procédé de fabrication de semi-conducteur. Différents exemples proposent une source de plasma RF comprenant une antenne RF et un manchon diélectrique rotatif disposé autour de l'antenne RF. Le diélectrique est positionné entre une chambre de traitement et une chambre de nettoyage de telle sorte que des parties de la surface du diélectrique puissent être exposées soit à la chambre de traitement soit à la chambre de nettoyage. Lorsqu'un matériau est déposé sur la surface extérieure du diélectrique dans la chambre de traitement, le manchon diélectrique est tourné de telle sorte que la partie contenant l'accumulation soit exposée à la chambre de nettoyage. Un procédé de pulvérisation dans la chambre de nettoyage retire l'accumulation de la surface du manchon. Le manchon diélectrique est ensuite tourné de telle sorte qu'il soit exposé à la chambre de traitement. D'autres modes de réalisation sont décrits et revendiqués.