PROCESS FOR THE PREPARATION OF POLYCRYSTALLINE SILICON

Verfahren zur Herstellung von polykristallinem Silicium, umfassend Abscheiden von polykristallinem Silicium auf in wenigstens einem Reaktor befindlichen Trägerkörpern, wodurch polykristalline Siliciumstäbe erhalten werden, Ausbau der polykristallinen Siliciumstäbe aus dem wenigstens einen Reaktor, Zerkleinern der ausgebauten polykristallinen Siliciumstäbe in Bruchstücke, dadurch gekennzeichnet, dass nach dem Ausbau der polykristallinen Siliciumstäbe aus dem wenigstens einen Reaktor und vor dem Zerkleinern der ausgebauten polykristallinen Siliciumstäbe in Bruchstücke das in Stabform vorliegende polykristalline Silicium anhand wenigstens eines Merkmals in wenigstens zwei Qualitätsklassen klassifiziert wird, wobei jene wenigstens zwei Qualitätsklassen separaten Weiterverarbeitungsschritten zugeführt werden. Process for the preparation of polycrystalline silicon, comprising deposition of polycrystalline silicon on support bodies located in at least one reactor, as a result of which polycrystalline silicon rods are obtained, formation of the polycrystalline silicon rods from the at least one reactor, comminution of the formed polycrystalline silicon rods into segments, characterized in that after the formation of the polycrystalline silicon rods from the at least one reactor and before the comminution of the formed polycrystalline silicon rods into segments, the polycrystalline silicon present in rod form is classified by reference to at least one feature in at least two quality classes, with every at least two quality classes being passed to separate further processing steps. Procédé de production de silicium polycristallin, comprenant les étapes suivantes : le dépôt de silicium polycristallin sur des éléments de support se trouvant dans au moins un réacteur, ce qui permet d'obtenir des bâtonnets de silicium polycristallin; l'extraction des bâtonnets de silicium polycristallin du réacteur; la réduction des bâtonnets de silicium polycristallin extraits en fragments. Le procédé est caractérisé en ce que, après l'extraction des bâtonnets de silicium polycristallin du réacteur et avant la réduction des bâtonnets de silicium polycristallin extraits en fragments, le silicium polycristallin sous forme de bâtonnets est classé sur la base d'au moins une caractéristique, en au moins deux classes de qualité, ces deux classes de qualité ou plus étant soumises à des étapes de retraitement séparées.