HIGH ACCURACY DESIGN BASED CLASSIFICATION

Systems and methods for classifying defects on a wafer are provided. One method includes dilating an extended bounding box (EBB) surrounding a defect position on a wafer in two dimensions in proportion to a width and height of a pattern of interest (POI) for a hot spot closest to the defect position. The method also includes determining if polygons in the POI match polygons in the dilated bounding box. If the polygons in the POI do not match the polygons in the dilated bounding box, the defect is classified as a non-hot spot defect. If the polygons in the POI match the polygons in the dilated bounding box, the defect is classified as a hot spot defect if the area of the EBB intersects the area of interest associated with the hot spot and a non-hot spot defect if the EBB area does not intersect the area of interest. L'invention concerne des systèmes et des procédés permettant de classifier des défauts sur une plaquette. Un procédé consiste à dilater une zone de délimitation étendue (EBB) entourant une position de défaut sur une plaquette en deux dimensions proportionnellement à une hauteur et une largeur d'un motif d'intérêt (POI) pour un point chaud au plus près de la position de défaut. Le procédé consiste aussi à déterminer si des polygones dans le POI correspondent à des polygones dans la zone de délimitation dilatée. Si les polygones dans le POI ne correspondent pas aux polygones dans la zone de délimitation dilatée, le défaut est classifié comme n'étant pas un défaut de point chaud. Si les polygones dans le POI correspondent aux polygones dans la zone de délimitation dilatée, le défaut est classifié comme étant un défaut de point chaud si l'aire de l'EBB est en intersection avec l'aire d'intérêt associée au point chaud et comme n'étant pas un défaut de point chaud si l'aire de l'EBB n'est pas en intersection avec l'aire d'intérêt.