THIN-FILM TRANSISTOR, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME AND DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME

A thin-film transistor includes a substrate, a first gate electrode formed on the substrate, a first active layer that is formed on the substrate and includes a first oxide semiconductor layer and a first barrier layer, a second active layer that is formed on the first active layer and includes a second oxide semiconductor layer and an intermediate barrier layer, a gate insulating layer that is formed on the second active layer, a second gate electrode that is formed on the gate insulating layer and is electrically connected to the first gate electrode, an interlayer insulating film formed on the second gate electrode, the first active layer and the second active layer, and a source electrode and a drain electrode electrically connected to the first active layer and the second active layer. L'invention concerne un transistor à film mince comprenant un substrat, une première électrode de gâchette formée sur le substrat, une première couche active qui est formée sur le substrat et inclut une première couche en semiconducteur à oxyde et une première couche barrière, une deuxième couche active qui est formée sur la première couche active et inclut une deuxième couche en semiconducteur à oxyde et une couche barrière intermédiaire, une couche d'isolation de gâchette qui est formée sur la deuxième couche active, une deuxième électrode de gâchette qui est formée sur la couche d'isolation de gâchette et qui est reliée électriquement à la première électrode de gâchette, un film isolant intercouche formé sur la deuxième électrode de gâchette, la première couche active et la deuxième couche active, et une électrode de source ainsi qu'une électrode de drain reliées électriquement à la première couche active et à la deuxième couche active.