THIN-FILM TRANSISTOR, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME AND DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME

A thin-film transistor, a method for manufacturing the same and a display device including the same are provided. The thin-film transistor may include a substrate, and an active layer formed on the substrate. The active layer may be made from an oxide semiconductor. A gate electrode may be formed ab...

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1. Verfasser: CHO, HYUNG NYUCK
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
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Beschreibung
Zusammenfassung:A thin-film transistor, a method for manufacturing the same and a display device including the same are provided. The thin-film transistor may include a substrate, and an active layer formed on the substrate. The active layer may be made from an oxide semiconductor. A gate electrode may be formed above the active layer or below the active layer. A conductive layer may come in contact with the active layer, may be overlapped with at least a part of the gate electrode, and may be insulated from the gate electrode. A source electrode and a drain electrode may be electrically connected to the active layer. The conductive layer can reduce a channel length of the thin-film transistor and increase a capacitance between the source electrode and the gate electrode or between the drain electrode and the gate electrode. L'invention concerne un transistor en couches minces, un procédé de fabrication de celui-ci et un dispositif d'affichage comprenant celui-ci. Le transistor en couches minces peut comprendre un substrat, et une couche active formée sur le substrat. La couche active peut être faite d'un semi-conducteur en oxyde. Une électrode de grille peut être formée au-dessus de la couche active ou au-dessous de la couche active. Une couche conductrice peut venir en contact avec la couche active, peut être recouverte avec au moins une partie de l'électrode de grille, et peut être isolée de l'électrode de grille. Une électrode de source et une électrode de drain peuvent être électriquement connectées à la couche active. La couche conductrice peut réduire une longueur de canal du transistor en couches minces et augmenter une capacité entre l'électrode de source et l'électrode de grille ou entre l'électrode de drain et l'électrode de grille.