SEMICONDUCTOR-WAFER MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR WAFER

Provided are: a manufacturing method in which a semiconductor wafer is cut using a fixed-abrasive technique and a texture can be formed across the entire surface of said semiconductor wafer, even with the use of an etching process using an acid; and a semiconductor wafer obtained via said manufacturing method. Said semiconductor wafer is manufactured via a fixed-abrasive slicing step, a wet-blast damage-layer formation step, and a drying step and is subjected to an etching process using an acid. In the slicing step, a crystalline ingot is cut by a core wire that has abrasive grains affixed to the surface thereof in a dispersed manner. In the damage-layer formation step, after the slicing step, the surface of the semiconductor wafer is sprayed with a slurry consisting of a liquid and abrasive grains. In the drying step, following the damage-layer formation step, the semiconductor wafer is dried. L'invention concerne : un procédé de fabrication dans lequel une tranche de semi-conducteur est découpée à l'aide d'une technique à abrasif fixe et une texture peut être formée sur la totalité de la surface de ladite tranche de semi-conducteur, même avec l'utilisation d'un processus de gravure utilisant un acide ; et une tranche de semi-conducteur obtenue par l'intermédiaire dudit procédé de fabrication. Ladite tranche de semi-conducteur est fabriquée par l'intermédiaire d'une étape de découpage par abrasif fixe, une étape de formation de couche d'endommagement par sablage humide, et une étape de séchage et est soumise à un processus de gravure utilisant un acide. Dans l'étape de découpe, un lingot cristallin est découpé par un fil de noyau qui possède des grains abrasifs fixés sur la surface de celui-ci de manière dispersée. Dans l'étape de formation de couche d'endommagement, après l'étape de découpe, la surface de la tranche de semi-conducteur est pulvérisée avec une bouillie comprenant un liquide et des grains abrasifs. Dans l'étape de séchage, après l'étape de formation de couche d'endommagement, la tranche de semi-conducteur est séchée.