METHOD OF MANUFACTURING A PHOTOVOLTAIC DEVICE

A photovoltaic device is disclosed, the device having a zinc-containing layer, such as a ZnO1-xSx layer, as a window layer, as part of a composite window layer, and/or as a buffer layer. Use of the ZnO1-xSx layer improves an overall efficiency of the photovoltaic device due to improved optical trans...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	DAMJANOVIC, DAN, ZHAO, ZHIBO, GUO, JING, HWANG, DAVID, BULER, BENYAMIN
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:	A photovoltaic device is disclosed, the device having a zinc-containing layer, such as a ZnO1-xSx layer, as a window layer, as part of a composite window layer, and/or as a buffer layer. Use of the ZnO1-xSx layer improves an overall efficiency of the photovoltaic device due to improved optical transmission thereof as compared to CdS window layers, and due to a improved quantum efficiency of the photovoltaic device in the blue light spectrum due to the presence of the ZnO1-xSx layer. La présente invention concerne un dispositif photovoltaïque, le dispositif disposant d'une couche contenant du zinc, telle qu'une couche de ZnO1 -xSx, comme une couche fenêtre, en tant que partie d'une couche fenêtre composite, et/ou en tant que couche tampon. L'utilisation de la couche de ZnO1 -xSx améliore l'efficacité générale du dispositif photovoltaïque en raison de sa meilleure transmission optique par rapport aux couches fenêtres CdS, et en raison d'un rendement quantique amélioré du dispositif photovoltaïque dans le spectre de la lumière bleue en raison de la présence de la couche de ZnO1-xSx.