SYSTEM FOR PROVIDING HEATED ETCHING SOLUTION

A method and processing system are provided for independent temperature and hydration control for an etching solution used for treating a wafer in process chamber. The method includes circulating the etching solution in a circulation loop, maintaining the etching solution at a hydration setpoint by adding or removing water from the etching solution, maintaining the etching solution at a temperature setpoint that is below the boiling point of the etching solution in the circulation loop, and dispensing the etching solution into the process chamber for treating the wafer. In one embodiment, the dispensing includes dispensing the etching solution into a processing region proximate the wafer in the process chamber, introducing steam into an exterior region that is removed from the wafer in the process chamber, and treating the wafer with the etching solution and the steam. La présente invention se rapporte à un procédé et à un système de traitement permettant une commande de température et d'hydratation indépendante d'une solution d'attaque utilisée pour traiter une tranche dans une chambre de traitement. Le procédé consiste à faire circuler la solution d'attaque dans une boucle de circulation, à maintenir la solution d'attaque à une valeur déterminée d'hydratation par ajout d'eau dans la solution d'attaque ou par retrait d'eau de cette dernière, à maintenir la solution d'attaque à une valeur déterminée de température qui est inférieure au point d'ébullition de la solution d'attaque dans la boucle de circulation, et à distribuer la solution d'attaque dans la chambre de traitement pour traiter la tranche. Selon un mode de réalisation, la distribution consiste à distribuer la solution d'attaque dans une région de traitement à proximité de la tranche agencée dans la chambre de traitement, à introduire de la vapeur dans une région extérieure qui est retirée de la tranche dans la chambre de traitement, et à traiter la tranche avec la solution d'attaque et la vapeur.