DUAL RESURF TRENCH FIELD PLATE IN VERTICAL MOSFET

A semiconductor device (100) contains a vertical MOS transistor (106) with instances of a vertical reduced surface field (RESURF) trench (112) on opposite sides of a vertical drift region (110). The vertical RESURF trench (112) contains a dielectric trench liner (114) on sidewalls, a lower field plate (120) and an upper field plate (122). The dielectric trench liner (114) between the lower field plate and the vertical drift region (110) is thicker than between the upper field plate and the vertical drift region (110). A gate (126) is disposed over the vertical drift region (110) and is separate from the upper field plate (122). The upper field plate (122) and the lower field plate (120) are electrically coupled to a source electrode of the vertical MOS transistor. L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur (100) comprenant un transistor MOS vertical (106) doté d'exemples d'un sillon de champ à surface réduite verticale (RESURF) (112) sur des côtés opposés d'une région de dérive verticale (110). Le sillon de RESURF vertical (112) contient un revêtement de sillon diélectrique (114) sur des parois latérales, une armature de champ inférieur (120) et une armature de champ supérieur (122). Le revêtement de sillon diélectrique (114) entre l'armature de champ inférieur et la région de dérive verticale (110) est plus épais qu'entre l'armature de champ supérieur et la région de dérive verticale (110). Une grille (126) est disposée sur la région de dérive verticale (110) et est séparée de l'armature de champ supérieur (122). L'armature de champ supérieur (122) et l'armature de champ inférieur (120) sont électriquement couplées à une électrode source du transistor MOS vertical.