REDUCING INSERTION LOSS IN LNA BYPASS MODE BY USING A SINGLE-POLE-TRIPLE-THROW SWITCH IN A RF FRONT END MODULE

A microwave radio frequency (RF) front end module (FEM) having a low noise amplifier (LNA) with a bypass mode uses a single-pole-triple-throw RF switch that reduces insertion loss to about 1 dB and thereby improves RF receiver sensitivity over existing technology two series connected single-pole-double throw RF switches. The single-pole- triple-throw RF switch may be three metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) RF switches that may be arranged with a common source input and isolated independent drain outputs. The RF switches may be single, double or triple gate MOSFET RF switches. The MOSFET RF switches may also be configured as complementary metal oxide semiconductor (CMOS) field effect transistor (FET) RF switches. La présente invention concerne un module frontal (FEM) à radiofréquence (RF) par micro-onde ayant un amplificateur à faible bruit (LNA) en mode de dérivation qui utilise un commutateur RF unipolaire à triple déclenchement, qui réduit la perte d'insertion à environ 1 dB et améliore ainsi la sensibilité du récepteur RF par rapport aux commutateurs RF unipolaires à double déclenchement, connectés en double série de la technologie existante. Le commutateur RF unipolaire à triple déclenchement peut correspondre à trois commutateurs RF de transistor à effet de champ à semi-conducteur à oxyde métallique (MOSFET) qui peuvent être conçus avec une entrée source commune et des sorties de drain indépendantes et isolées. Les commutateurs RF peuvent être des commutateurs RF MOSFET à simple, double ou triple déclenchement. Les commutateurs RF MOSFET peuvent être également configurés comme des commutateurs RF de transistor à effet de champ (FET) à semi-conducteur à oxyde métallique complémentaire (CMOS).