CVD DEVICE AND METHOD FOR CLEANING A PROCESSING CHAMBER OF A CVD DEVICE

Die Erfindung betrifft zunächst eine Vorrichtung und eine Verfahren zum Abscheiden von Halbleiterschichten, insbesondere III - V Halbleiterschichten mit einer in einem Reaktorgehäuse (1) angeordneten Prozesskammer (2), in die eine Gaszuleitung (3) mündet, durch die zusammen mit einem Trägergas ein Prozessgas in die Prozesskammer (2) einleitbar ist, mit einer ersten Temperiereinrichtung (4), mit der Betriebstemperatur der Prozesskammer (2) auf einer Prozesstemperatur stabilisierbar ist, bei der eine Reaktion des Prozessgases stattfindet, bei der sich zumindest gasförmige Reaktionsprodukte bilden, wobei die Prozesskammer (2) mit einer Gasableitung (5) mit einer Kühlfalle (6) und einer Filtereinrichtung (7) verbunden ist. Um die Effizienz eines Abgassystems bei einer gattungsgemäßen Vorrichtung zu erhöhen, wird vorgeschlagen, dass die Filtereinrichtung (7) stromaufwärts der Kühlfalle (6) angeordnet ist. Die Erfindung betrifft weiter ein Verfahren zum Reinigen einer derartigen Prozesskammer. The invention first relates to a device and a method for depositing semiconductor layers, in particular III - V semiconductor layers, comprising a processing chamber (2) which is arranged in a reactor housing (1) and into which a gas supply line (3) opens, a process gas being introducible into the processing chamber (2) together with a carrier gas through said gas supply line. The device comprises a first temperature control device (4) with which the operating temperature of the processing chamber (2) can be stabilized to a processing temperature at which a reaction of the process gas takes place, wherein at least gaseous reaction products are formed during the reaction. The processing chamber (2) is connected to a gas discharge line (5) with a cooling trap (6) and a filter device (7). The aim of the invention is to increase the efficiency of an exhaust gas system in a device of the generic type. This is achieved in that the filter device (7) is arranged upstream of the cooling trap (6). The invention further relates to a method for cleaning such a processing chamber. L'invention concerne en premier lieu un dispositif et un procédé de dépôt de couches semi-conductrices, en particulier des couches semi-conductrices des groupes III - V, comprenant : une chambre de traitement (2) disposée dans une enveloppe de réacteur (1) dans laquelle débouche une arrivée de gaz (3) permettant d'introduire conjointement un gaz porteur et un gaz de processus dans la chambre de traitement (2)